Welcome,{$name}!

/ Odhlásit se
Čeština
EnglishDeutschItaliaFrançais한국의русскийSvenskaNederlandespañolPortuguêspolskiSuomiGaeilgeSlovenskáSlovenijaČeštinaMelayuMagyarországHrvatskaDanskromânescIndonesiaΕλλάδαБългарски езикAfrikaansIsiXhosaisiZululietuviųMaoriKongeriketМонголулсO'zbekTiếng ViệtहिंदीاردوKurdîCatalàBosnaEuskera‎العربيةفارسیCorsaChicheŵaעִבְרִיתLatviešuHausaБеларусьአማርኛRepublika e ShqipërisëEesti Vabariikíslenskaမြန်မာМакедонскиLëtzebuergeschსაქართველოCambodiaPilipinoAzərbaycanພາສາລາວবাংলা ভাষারپښتوmalaɡasʲКыргыз тилиAyitiҚазақшаSamoaසිංහලภาษาไทยУкраїнаKiswahiliCрпскиGalegoनेपालीSesothoТоҷикӣTürk diliગુજરાતીಕನ್ನಡkannaḍaमराठी
E-mailem:Info@Y-IC.com
domů > Zprávy > GlobalFoundries: Byl vyvinut 3D čip Arm v balíčku 12nm FinFET

GlobalFoundries: Byl vyvinut 3D čip Arm v balíčku 12nm FinFET

Podle zahraničních médií společnosti Tom's Hardware společnost GlobalFoundries tento týden oznámila, že úspěšně vytvořila vysoce výkonné čipy 3DArm pomocí procesu 12nm FinFET.

"Tyto 3D čipy s vysokou hustotou přinesou nový výkon a energetickou účinnost výpočetním aplikacím, jako je AI / ML (umělá inteligence a strojové učení) a špičkovým spotřebitelským mobilním a bezdrátovým řešením," řekl GlobalFoundries.

Podle zpráv společnost GlobalFoundries and Arm ověřila metodu 3D design test (DFT) pomocí hybridního spojení wafer-wafer společnosti Groffont. Tato technologie podporuje až 1 milion 3D připojení na milimetr čtvereční, takže je vysoce škálovatelná a očekává se, že pro 12nm3D čipy poskytne delší životnost.

Pokud jde o technologii 3D balení, společnost Intel loni oznámila svůj výzkum stohování 3D čipů. AMD také hovořil o řešení superponování 3D DRAM a SRAM na svém čipu.