SK hynix zveřejňuje finanční zprávu za třetí čtvrtletí roku 2019

24. října 2019 - Společnost SK hynix (nebo „Společnost“, www.skhynix.com) dnes oznámila svou finanční zprávu za třetí čtvrtletí za rok 2019, 30. září 2019. Ve třetím čtvrtletí byl celkový výnos 6,84 bilionu wonů, provozní zisk vyhrál 472,6 miliardy a čistý zisk 495,5 miliardy vyhrál. Provozní marže za čtvrtletí činila 7% a čisté ziskové rozpětí 7%.

Ve třetím čtvrtletí se díky trendu obnovení poptávky tržby mezičtvrtletně zvýšily o 6%. Avšak pokud jde o ziskovost, ačkoli jednotkové náklady na DRAM poklesly, pokles tržní ceny se plně nevyrovnal a provozní zisk se snížil o 26%.

V případě DRAM reagovala společnost pozitivně na nové mobilní produkty a protože někteří zákazníci datových center zvýšili své nákupy, bitové zásilky DRAM se zvýšily o 23%, ale ceny nadále klesaly a průměrné prodejní ceny klesly o 16%. . Pokles průměrných prodejních cen se však oproti předchozímu čtvrtletí snížil.

V případě NAND flash společnost aktivně reagovala na trh s vysokokapacitními mobilními a SSD řešeními s pokračujícím zotavováním poptávky, ale bitové zásilky společnosti klesly o 1% v důsledku dočasného zvýšení prodeje jednotlivých položek v předchozím čtvrtletí. Průměrná prodejní cena se však oproti předchozímu čtvrtletí zvýšila o 4% v důsledku snížení podílu relativně levného prodeje jednotlivých položek.

SK hynix plánuje flexibilně přizpůsobovat výrobu a investice podle tržních podmínek při současném uspokojování rostoucích požadavků zákazníků a účinně reagovat na výkyvy poptávky způsobené vnějšími nejistotami.

SK hynix přeměňuje část své výrobní linky v závodě Icheon M10 na výrobní linku pro sériovou výrobu obrazových snímačů CMOS (CIS) a zároveň snižuje výrobu 2D NAND flash paměti. V důsledku toho se očekává, že se příští rok ve srovnání s loňským rokem sníží výrobní kapacita flash paměti DRAM a NAND. Ve srovnání s letošním rokem se také výrazně sníží investice v příštím roce.

Kromě toho SK hynix plánuje pokračovat ve vývoji nové generace mikro-inženýrské technologie a rozšiřovat další produktová portfolia rozšiřováním prodeje vysoce kapacitních produktů s přidanou hodnotou, aby bylo dosaženo většího růstu tržního zlepšení.

SK hynix plánuje do konce příštího roku zvýšit výrobu 10nm (1Y) DRAM druhé generace na 10% a plánuje hromadnou výrobu nedávno vyvinutého projektu 10nm (1Z) třetí generace. Kromě toho společnost plánuje aktivně reagovat na trhy LPDDR5 a HBM2E. Očekává se, že tyto produkty budou zákazníci příští rok aktivně přijímáni.

Do konce roku společnost rozšíří výrobu 96-vrstvových 4D NAND flash produktů do druhé poloviny roku a podpoří hromadnou výrobu a prodejní přípravu 128-vrstvové 4D NAND flash paměti. Kromě toho se společnost zaměřuje na vysoce kvalifikovaný trh chytrých telefonů a SSD a očekává se, že podíl SSD na prodejích blesku NAND SK hynix se ve čtvrtém čtvrtletí zvýší na 30%.

SK hynix uvedl: „Na základě zkušeností s tímto poklesem trhu minimalizujeme volatilitu našeho podnikání. Zároveň zvýšíme naše úsilí o dosažení udržitelného růstu.“